【KF真空法蘭】真空鍍膜對蒸發(fā)源的原材料標準有哪些方面

Source：http://hiimart.cnRelease Time：2019-09-09

【KF真空法蘭】真空鍍膜對蒸發(fā)源的原材料標準有哪些方面
 表面層處理網：真空鍍膜這種造成塑料薄膜原材料的技術性。在真空室內外原材料的原子團從電加熱源離析出來了打得被鍍物塊的表面層上。該項技術性用以生產制造激光唱片（光碟）上的鋁鍍膜和由掩膜在印刷線路板上鍍金屬膜。



 真空鍍膜中對蒸發(fā)源的原材料標準有哪些方面？

 一般而言對蒸發(fā)源應考慮到蒸發(fā)源的原材料和外形，通常對蒸發(fā)源原材料的標準是：

 (1)溶點高。由于蒸發(fā)原材料的蒸發(fā)環(huán)境溫度(穩(wěn)定平衡蒸汽壓為1.3Pa的環(huán)境溫度)大部分在1000~2000℃相互間，因而，蒸發(fā)源原材料的溶點應高過此環(huán)境溫度。

 (2)穩(wěn)定平衡蒸汽壓得很低。這首要是預防或減小高溫下蒸發(fā)源原材料隨蒸發(fā)原材料蒸發(fā)而變成雜質殘渣，加入蒸鍍膜層中。只能在蒸發(fā)源原材料的穩(wěn)定平衡氣壓充足低時，能夠確保在蒸發(fā)時具備*小的自蒸發(fā)量，才不至于影向系統(tǒng)軟件真空度和污染膜層，以便使蒸發(fā)源原材料所蒸發(fā)的總數很少，在挑選蒸發(fā)環(huán)境溫度、蒸發(fā)源原材料時，應以原材料的蒸發(fā)環(huán)境溫度小于蒸發(fā)源原材料在穩(wěn)定平衡氣壓為1.3×10-6Pa時的制取高品質的塑料薄膜可選用與1.3×10-3Pa所對應的環(huán)境溫度。

 (3)有機化學性能指標平穩(wěn)，在高溫下不可與蒸發(fā)原材料出現化學反應。在高溫下一些蒸發(fā)源原材料，與蒸發(fā)原材料相互間會造成反應及擴散而行成化合物和合金。越來越是行成低共熔點合金蒸發(fā)源容易燒斷。例如在高溫時鉭和金會行成合金，鋁、鐵、鎳、鈷也會與鎢、鉬、鉭等蒸發(fā)源原材料行成合金。鎢還能與水或氧出現反應，行成揮發(fā)性的氧化物如WO、WO2或WO3;鉬也能與水或氧反應而行成揮發(fā)性MoO3等。因而，應挑選不會與鍍膜材料出現反應或行成合金的原材料做該原材料的蒸發(fā)源原材料。

 作為蒸發(fā)源的原材料必須具備溶點高、揮發(fā)低、高溫冷卻后脆性小等性質。常用的線狀蒸發(fā)源應能與蒸發(fā)金屬相潤濕，溶點遠遠大于待鍍金屬的蒸發(fā)環(huán)境溫度，不與待鍍金屬出現反應生成合金。